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二氧化錫(SnO2)是一種知名的n-type半導體其應用範圍非常廣泛，而其奈米線(nanowires)由於擁有一維奈米材料的特殊性質非常適合進行研究，本實驗的二氧化錫奈米線是藉由熱蒸鍍法(therm…
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本研究探討Al0.3In0.7Sb三元系統與InSb-In異質結構奈米線兩部份。首先，兩種奈米線的合成方法皆是通過使用真空液壓鑄造的方式來製備，鑄造用的前驅材料Al0.3In0.7Sb及InSb-I…
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在此篇研究中，利用熱蒸鍍法經由VLS及VS成長機制在爐管內擺放鍍上金膜的矽基板上成長氧化鋅奈米線，而氧化鋅粉混合碳粉當作前驅物。藉由控制成長溫度、前驅物溫度、成長壓力、前驅物的量、成長時間、成長位置…
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本論文材料有三種，分別是Ge-Sn異質結構奈米線， Ge-Sb異質結構奈米線和GeSe2奈米材料，進行生長及元件的製程並探討對應電性表現。 第一部分為Ge-Sn異質結構奈米線，使用AAO並以壓力鑄造…
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本論文，對半導體奈米材料研究分為三個部分，分別為InSb 奈米線之金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, M…
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本論文研究內容分為三大部分：SnS2奈米片的成長與結構分析及退火前後電性變化及退火參數的討論。第二部分為不同組份的GaSb奈米線之製備與結構分析、探討退火對於異質結構的擴散情形及黃光製程上對應的量測…
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本論文研究的一維奈米材料包括Cu3Ge奈米線以及Cu3Ge-Ge異質結構奈米線。第一部分為製程，塊材的前置作業為分別取Copper和Germanium之粉末以特定之原子百分比組分封入石英管內，並以氫…